M08100 - SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのガイド Revision:SEMI M81-0611 - Superseded 本スタンダードは， Physical Interfaces & Carriers

本スタンダードは， Physical Interfaces & Carriers Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2014年5月12日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2014年7月にwww

orgで入手可能となる。初版は1978年発行，前版は2005年7月発行。

工場の全体的効率を評価するには，少なくとも3項目についての測定が必要である。すなわち，製造活動，資産活用，そしてコストである。このガイドは，製造活動の評価に重点を置いている。資産活用とコスト（およびその他の経済的要因）については，ここでは扱わない。

This Test Method applies only for 3-point bending method

2006年做完全的修改。

M08100 - SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのガイド Revision:SEMI M81-0611 - Superseded 本スタンダードは， Physical Interfaces & CarriersNOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. SEMI SEMI Compound Semiconductor Materials Global Technical Committee2011513global Audits and Reviews Subcommittee20116www. semiviews. org www. semi. org SEMI M55 SiCSiC SiC Referenced SEMI Standards SEMI M55 Specification for Polished